CREE射频微波在航空航天和国防领域的应用

发布时间:2020-08-06 15:32:36     浏览:2467

CREE 微波公司从最初的GaN基板LED产品引领世界,发展到微波和毫米波芯片产品,2017年分离出微波品牌WolfSpeer,以宽带和大功率放大器产品为特色。

经过几十年的发展,CREE微波旗下的WolfSpeer公司推动了射频技术的发展,它已成为商业和军事航空、空中交通管制、气象服务、飞机对卫星通信、空间探索等领域的无线通信和雷达系统的骨干。

CREE公司的创新,包括在基于SiCGaN研究和开发方面的突破,完全集成的设计支持,以及自定义组装,都有助于WolfSpeer继续为客户提供在尺寸、重量和功率方面具有显著优势的解决方案。作为您完整的RF系统设计伙伴,CreeSiC(封装和裸模式)LDMOS器件上提供了广泛的GaN产品组合。

深圳市立维创展科技CREE的经销商,凭借CREE微波设备的优势供应渠道,长期备有库存,以满足中国市场的需求,欢迎咨询。

详情了解CREE射频微波请点击:http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 

*部分型号需申请美国出口许可。

产品SKU

技术

频率(最小值)

频率(最大)

峰值输出功率

获得

效率

工作电压









CGH60008D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

8W

> 12分贝

65%

28

CGH60015D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

15

> 12分贝

65%

28

CGH60030D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

> 12分贝

65%

28

CGH60060D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

60

> 12分贝

65%

28

CGH60120D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

120

> 12分贝

65%

28

CMPA0060002D

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

2W

17分贝

30%

28

CMPA0060025D

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

25

18分贝

33%

50

CMPA2560025D

SiC上的GaN

2.5 GHz

6 GHz

25

24分贝

31%

28

CMPA601C025D

SiC上的GaN

6 GHz

12 GHz

25

32分贝

32%

28

CGH40006P

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

6

> 11分贝

65%

28

CGH40006S

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

6

> 11分贝

65%

28

CGH40010F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

10

> 14分贝

65%

28

CG2H40025F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

25

> 15分贝

62%

28

CGH40035F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

35

> 13分贝

60%

28

CGH40045F

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

45

> 12分贝

55%

28

CGH40090PP

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

90

> 14分贝

55.00%

28

CGH40120F

SiC上的GaN

直流电

3 GHz

120

> 15分贝

70%

28

CGH40120P

SiC上的GaN

直流电

3 GHz

120

> 15分贝

70%

28

CGH40180PP

SiC上的GaN

直流电

3 GHz

180

> 15分贝

70%

28

CMPA0060002F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

2W

17分贝

23%

28

CMPA0060025F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

25

17分贝

28%

50

CMPA2560025F

SiC上的GaN

2.5 GHz

6 GHz

25

24分贝

31%

28

CMPA601C025F

SiC上的GaN

6 GHz

12 GHz

25

33分贝

32%

28

CGHV1J006D-GP4

SiC上的GaN

直流电

18 GHz

6

17分贝

60%

40

CGHV1J025D-GP4

SiC上的GaN

直流电

18 GHz

25

17分贝

60%

40

CGHV1J070D-GP4

SiC上的GaN

直流电

18 GHz

70

17分贝

60%

40

CGHV1F006S

SiC上的GaN

直流电

15 GHz

6

> 7分贝

52%

40

CGHV1F025S

SiC上的GaN

直流电

15 GHz

25

11分贝

51%

40

CGHV40320D-GP4

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

320

19分贝

65%

50

CGHV60040D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

40

> 7分贝

65%

50

CGHV60075D5-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

75

> 7分贝

65%

50

CGHV60170D-GP4

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

170

> 7分贝

65%

50

CGHV27060MP

SiC上的GaN

直流电

2.7 GHz

60

16.5分贝

64%

50

CGHV35060MP

SiC上的GaN

2.7 GHz

3.8 GHz

60

14.5分贝

67%

50

CGHV40030F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

16分贝

70%

50

CGHV40050F

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

50

16分贝

53%

50

CGHV40100F

SiC上的GaN

直流电

3 GHz

100

17.5分贝

55%

50

CGH09120F

SiC上的GaN

直流电

2.5 GHz

120

21分贝

35%

28

CGH21120F

SiC上的GaN

1.8 GHz

2.3 GHz

120

15分贝

35%

28

CGH21240F

SiC上的GaN

1.8 GHz

2.3 GHz

240

15分贝

33%

28

CGH25120F

SiC上的GaN

2.5 GHz

2.7 GHz

120

> 7分贝

30%

28

CGH27015F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

15

14.5分贝

28%

28

CGH27030F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

15分贝

28%

28

CGH27030S

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

18分贝

33%

28

CGH27060F

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

60

14分贝

27%

28

CGH35015F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

15

12分贝


28

CGH35030F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

12分贝

25%

28

CGH35060F1

SiC上的GaN

3.3 GHz

3.6 GHz

60

12分贝

25%

28

CGH55015F1

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

15

> 10.5分贝

25%

28

CGH55030F1

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

10分贝

25%

28

CGHV27015S

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

15

21分贝

32%

50

CGHV27030S

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

30

21分贝

32%

50

CMPA2735075D

SiC上的GaN

2.7 GHz

3.5 GHz

75

28分贝

61%

28

CMPA801B025D

SiC上的GaN

8 GHz

11 GHz

25

28分贝

45%

28

CGH31240F

SiC上的GaN

2.7 GHz

3.1 GHz

240

12分贝

60%

28

CGH35060F2

SiC上的GaN

3.1 GHz

3.5 GHz

60

12分贝

60%

28

CGH35240F

GaN on SiC

3.1 GHz

3.5 GHz

240W

11.6 dB

57%

28 V

CGH55015F2

GaN on SiC

DC

6 GHz

10W

12 dB

60%

28 V

CGH55030F2

GaN on SiC

DC

6 GHz

25W

12 dB

60%

28 V

CGHV14250F

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

250W

18 dB

77%

50 V

CGHV14500F

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

500W

16 dB

68%

50 V

CGHV31500F

GaN on SiC

2.7 GHz

3.1 GHz

500W

12.75 dB

60%

50 V

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150W

13.5 dB

50%

50 V

CGHV35400F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

400W

11 dB

60%

50 V

CGHV59350F

GaN on SiC

5.2 GHz

5.9 GHz

350W

11 dB

55%

50 V

CGHV96100F2

GaN on SiC

7.9 GHz

9.6 GHz

100W

10 dB

45%

40 V

CMPA2735075F

GaN on SiC

2.7 GHz

3.5 GHz

75W

27 dB

54%

28 V

CMPA801B025F

GaN on SiC

8 GHz

11 GHz

25W

16 dB

36%

28 V

CMPA1D1E030D

GaN on SiC

13.75 GHz

14.5 GHz

30W

26 dB

25%

40 V

CGHV50200F

GaN on SiC

4.4 GHz

5 GHz

200W

11.5 dB

33%

40 V

CGHV96050F1

GaN on SiC

7.9 GHz

8.4 GHz

50W

>13 dB

33%

40 V

CMPA1D1E025F

GaN on SiC

13.5 GHz

14.5 GHz

25W

26 dB

16%

40 V

CGHV96050F2

GaN on SiC

7.9 GHz

9.6 GHz

50W

10 dB

55%

40 V

CG2H80030D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

30W

16.5 dB

65%

28 V

CGHV14800F

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

800W

16 dB

65%

50 V

CGHV59070F

GaN on SiC

4.5 GHz

5.9 GHz

70W

12 dB

50%

50 V

CMPA1C1D060D

GaN on SiC

12.7 GHz

13.25 GHz

65W

26 dB

30%

40 V

CMPA5585030F

GaN on SiC

5.5 GHz

8.5 GHz

30W

25 dB

30%

28 V

CMPA2735015S

GaN on SiC

2.7 GHz

3.5 GHz

15W

33 dB

50%

50 V

CMPA2735015D

GaN on SiC

2.7 GHz

3.5 GHz

15W

32 dB

45%

50 V

CMPA2735030D

GaN on SiC

2.7 GHz

3.5 GHz

30W

30 dB

45%

50 V

CG2H40010F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

10

> 16分贝

65%

28

CG2H40045F

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

45

> 14分贝

55%

28

CGH40025F

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

25

> 13分贝

62%

28

CGHV40200PP

SiC上的GaN

直流电

2 GHz

250

21分贝

75%

50

CG2H80015D-GP4

SiC上的GaN

直流电

8 GHz

15

> 12分贝

70%

28

CG2H80060D-GP4

SiC上的GaN

直流电

8 GHz

60

> 12分贝

70%

28

CMPA5585030D

SiC上的GaN

5.5 GHz

8.5 GHz

30

30分贝

44%

28

CG2H30070F

SiC上的GaN

0.5 GHz

3 GHz

80

15分贝

55%

28

CGHV40180P

SiC上的GaN

直流电

2 GHz

200

24分贝

70%

28 V / 50 V

GTVA104001FA-V1

SiC上的GaN

0.96 GHz

1.215 GHz

400

19分贝

70%

50

GTVA123501FA-V1

SiC上的GaN

1.2 GHz

1.4 GHz

350

18分贝

71%

50

GTVA101K42EV-V1

SiC上的GaN

0.96 GHz

1.215 GHz

1400

17分贝

68%

50

GTVA311801FA-V1

SiC上的GaN

2.7 GHz

3.1 GHz

180

15分贝

70%

50

GTVA107001EFC-V1

SiC上的GaN

0.96 GHz

1.215 GHz

700

20分贝

70%

50

GTVA355001

SiC上的GaN

2.9 GHz

3.5 GHz

500

> 7分贝

65%

50

CGHV37400F

SiC上的GaN

3.3 GHz

3.7 GHz

550

14分贝

55%

48

PTVA030121EA-V1

LDMOS

0.39 GHz

0.45 GHz

12

25分贝

69%

50

PTVA035002EV-V1

LDMOS

0.39 GHz

0.45 GHz

450

18分贝

64%

50

PTVA101K02EV-V1

LDMOS

1.03 GHz

1.09 GHz

900

18分贝

65%

50

PTVA102001EA-V1

LDMOS

0.96 GHz

1.6 GHz

200

18.5分贝

60%

50

PTVA104501EH-V1

LDMOS

0.96 GHz

1.215 GHz

450

17.5分贝

58%

50

PTVA120251EA-V2

LDMOS

0.5 GHz

1.4 GHz

25

18分贝

54%

50

PTVA120501EA-V1

LDMOS

1.2 GHz

1.4 GHz

50

17分贝

50%

50

PTVA123501EC-V2

LDMOS

1.2 GHz

1.4 GHz

350

17分贝

55%

50

PTVA123501FC-V1

LDMOS

1.2 GHz

1.4 GHz

350

17分贝

55%

50

PTVA127002EV-V1

LDMOS

1.2 GHz

1.4 GHz

700

16分贝

56%

50

PTVA047002EV-V1

LDMOS

0.47 GHz

0.806 GHz

700

17.5分贝

29%

50

CMPA5259025F

SiC上的GaN

5.2 GHz

5.9 GHz

37

32分贝

50%

28

CMPA5259050F

SiC上的GaN

5.2 GHz

5.9 GHz

50

30分贝

54%

28

CMPA0527005F

SiC上的GaN

1.2 GHz

1.4 GHz

5

20分贝

47%

50

CGHV35120F

SiC上的GaN

3.1 GHz

3.5 GHz

120

> 7分贝

62%

50

CMPA901A035F

SiC上的GaN

9 GHz

10 GHz

40

34分贝

35%

28

CMPA1D1E080F

SiC上的GaN

13.75 GHz

14.5 GHz

80

28分贝

20%

40

CG2H40120F

SiC上的GaN

直流电

2.5 GHz

130

20分贝

70%

28

CMPA2060035F

SiC上的GaN

2 GHz

6 GHz

35

27分贝

35%

28

CG2H80120D-GP4

SiC上的GaN

直流电

8 GHz

120

> 12分贝

65%

28

CMPA601J025D

GaN on SiC

6 GHz

18 GHz

25W

30 dB

27%

22 V

CG2H80045D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

45W

15 dB

65%

28 V

CG2H40035F

GaN on SiC

DC

6 GHz

35W

14 dB

64%

28 V

CMPA2060035D

GaN on SiC

2 GHz

6 GHz

35W

29 dB

42%

28 V

CMPA2735075F1

GaN on SiC

2.7 GHz

3.5 GHz

75W

29 dB

57%

28 V

CMPA801B030D

GaN on SiC

8 GHz

11 GHz

30W

28 dB

42%

28 V

CMPA801B030F

GaN on SiC

8 GHz

11 GHz

30W

16 dB

36%

28 V

CMPA2738060F

GaN on SiC

2.7 GHz

3.8 GHz

60W

34 dB

54%

50 V

CMPA0060025F1

GaN on SiC

DC

6 GHz

25

17分贝

28%

50

CMPA0060002F1

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

2W

18分贝

25%

28

CGHV1F006S-AMP1

SiC上的GaN

5.85 GHz

7.2 GHz

6

> 7分贝

不适用

40

CGHV1F006S-AMP3

SiC上的GaN

8.5 GHz

9.6 GHz

6

> 7分贝

不适用

40

CGH55015P2

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

10

12分贝

60%

28

CGH55015F2-AMP

SiC上的GaN

5.4 GHz

5.9 GHz

10

12分贝

不适用

28

CGH40010P

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

10

> 14分贝

65%

28

CGH40010F-AMP

SiC上的GaN

3.5 GHz

3.9 GHz

10

> 14分贝

不适用

28

CG2H40025P

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

25

> 15分贝

64%

28

CG2H40025F-AMP

SiC上的GaN

3.4 GHz

3.8 GHz

25

> 15分贝

不适用

28

CG2H30070F-AMP2

SiC上的GaN

0.5 GHz

3 GHz

80

15分贝

不适用

28

CG2H40010F-AMP

SiC上的GaN

3.5 GHz

3.9 GHz

10

> 16分贝

不适用

28

CG2H40010P

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

10

> 16分贝

65%

28

CG2H40035F-AMP

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

35

14分贝

不适用

28

CG2H40035P

SiC上的GaN

直流电

6 GHz

35

14分贝

64%

28

CGHV96100F2-AMP

SiC上的GaN

7.9 GHz

9.6 GHz

100

10分贝

不适用

40

CGHV96050F2-AMP

SiC上的GaN

8.4 GHz

9.6 GHz

50

10分贝

不适用

40

CGHV27030S-AMP1

SiC上的GaN

2.5 GHz

2.7 GHz

30

21分贝

不适用

50

CGHV27030S-AMP2

SiC上的GaN

2.5 GHz

2.7 GHz

30

21分贝

不适用

28

CGHV27030S-AMP3

SiC上的GaN

1.8 GHz

2.2 GHz

30

21分贝

不适用

28

CGHV27030S-AMP4

SiC上的GaN

1.8 GHz

2.2 GHz

30

21分贝

不适用

50

CGHV27030S-AMP5

SiC上的GaN

1.2 GHz

1.4 GHz

30

21分贝

不适用

50

CG2H40045P

SiC上的GaN

直流电

4 GHz

45

> 14分贝

55%

28


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