肖特基二极管（SBD）是由金属材料合半导体材料相交结合产生的势垒层，以势垒层为基础生产制造而成的二极管。肖特基二极管（SBD）具有正向电流导通压降小，反向恢复时间较短和开关损耗小等优势，是一种低能耗、高速率的半导体元器件，不足之处是抗压能力相对比较低，逆向泄漏电流比较大。

肖特基二极管基于势垒的高度比PN结势垒的高度低，正向导通工作电压和正向压降也比PN结二极管低。肖特基二极管是一种大多数载流子的导电性元器件，不存在少部分载流子使用寿命和反向恢复等难题。肖特基二极管的反向恢复时长仅仅是肖特基势垒电容器的充电、放电的时长，根本不同于PN结二极管反向恢复时长。由于反向恢复电荷少，肖特基二极管控制开关速率非常快，开关损耗也非常小，非常适用于高频率应用领域。

肖特基二极管的构造及性能使其适用于在低电压、大电流输出等领域作为高频率整流电源来使用，在高频率下用作检波和混频，在高速逻辑电源电路中作为箝位电路。在芯片中也通常运用肖特基二极管，在高速计算机中也被多方面运用。除去普通PN结二极管的性能基本参数以外，肖特基二极管用作检波和混频的电气设备基本参数还包含中频特性阻抗，指的就是其增加额定值本振输出功率时对特定中频所展现的特性阻抗。关键应用在变频器、开关电源、电源模块、驱动电路等领域，作为整流二极管、维护二极管、续流二极管等运用，在微波通信等电源电路中作为整流二极管、小信号检波二极管运用。

在产品型号选择过程中，主要考虑到导通压降、逆向饱和状态泄漏电流、额定电压、最大浪涌电流、最大逆向峰值工作电压、最大直流逆向工作电压、最高输出功率、反向恢复时长、最大损耗输出功率等为考虑的基本参数。

肖特基二极管与普通二极管差别是肖特基二极管的恢复时长比普通二极管恢复小，肖特基二极管的反向恢复时长大约为几纳秒，并且具有低能耗、大电流量和超高速等优势。而普通二极管具有较高的控制开关速率、较高的抗压能力、逆向漏电较小等优势，适用工作电压较高且工作频率较高的领域。

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