HMC7911LP5E/HMC7911LP5ETR卫星通信上变频器 ADI现货热销

发布时间：2018-07-04 09:50:28 浏览：2018

HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。立维创展HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

品牌	型号	描述	货期	库存
ADI	HMC7911LP5E HMC7911LP5ETR	17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器	现货	136

HMC7911LP5E应用

点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信
传感器

HMC7911LP5E优势和特点

转换增益：18 dB（典型值）
边带抑制：30 dBc（典型值）
针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）
输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
RF回波损耗：13 dB（典型值）
LO回波损耗：10 dB（典型值）
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

HMC7911LP5E结构图

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: HMC6787ALC5A/HMC6787ALC5ATR可变增益上变频器 ADI现货代理商