CGHV1J006D高压氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管 现货
发布时间:2019-02-22 14:16:56 浏览:1616
SKU:CGHV1J006D
Wolfspeed的CGHV1J006D是一种采用0.25μm栅极长度制造工艺的碳化硅衬底上的高压氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaN-on-SiC产品具有出色的高频,高效特性。它适用于工作频率范围为10 MHz至18 GHz,40 V且具有高击穿电压的各种应用。
特征
品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
CREE | CGHV1J006D | 1周 | 200 |
峰值输出功率 | 6W | |
---|---|---|
应用 | 通用宽带,40 V | |
典型的功率附加效率PAE | 60%@ 10 GHz | |
典型功率(PSAT) | 6瓦 | |
工作电压 | 40 V | |
频率 | DC - 18.0 GHz | |
包装类型 | 死 | |
小信号增益 | 17 dB @ 10 GHz |
示意图
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