CGHV1F025S高电子迁移率晶体管 Wolfspeed代理现货
发布时间:2019-01-23 15:05:08 浏览:2044
CGHV1F025S是一款无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。该器件可用于L,S,C,X和Ku波段放大器应用。数据手册规格基于X-Band(8.9 - 9.6-GHz)放大器。CGHV1F025S采用40伏轨道电路,采用3 mm x 4 mm表面贴装双扁平无引线(DFN)封装。在功耗降低的情况下,晶体管可以在低于40V的电压下工作至低至20V的VDD,从而保持高增益和高效率。
CGHV1F025S参数
峰值输出功率 | 25W | |
---|---|---|
应用 | 通用宽带,40 V | |
典型功率(PSAT) | 25瓦 | |
工作电压 | 40 V | |
频率 | DC - 15.0 GHz | |
包装类型 | 表面贴装 | |
获得 | 11 dB @ 9.4 GHz |
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